主要考量在於基板晶格係數及熱膨脹係數與基板上磊晶層材料的相似程度，只要

主要考量在於基板晶格係數及熱膨脹係數與基板上磊晶層材料的相似程度，只要基板晶格係數與磊晶層材料匹配程度愈高，則磊晶層所產生的缺陷則愈少。晶格常數匹配度較高的碳化矽基板，更適合GaN磊晶製作，而碳化矽基板除在晶格匹配度上較藍寶石基板為佳以外，因為碳化矽本身為半導體材料，適合利用半導體製程技術進行加工，因此利用半導體製程方式，在碳化矽基板進行幾何形狀處理，以降低光線在晶粒中的內全反射現象，使晶粒的取出效率可大幅提升。

結果 (中文) 1:

主要考虑在于基板晶格系数及热膨胀系数与基板上磊晶层材料的相似程度，只要基板晶格系数与磊晶层材料匹配程度愈高，则磊晶层所产生的缺陷则愈少。 晶格常数匹配度较高的碳化硅基板，更适合GaN磊晶制作，而碳化硅基板除在晶格匹配度上较蓝宝石基板为佳以外，因为碳化硅本身为半导体材料，适合利用半导体制程技术进行加工，因此利用半导体制程方式，在碳化硅基板进行几何形状处理，以降低光线在晶粒中的内全反射现象，使晶粒的取出效率可大幅提升。

結果 (中文) 2:

主要考量在于基板晶格系数及热膨胀系数与基板上磊晶层材料的相似程度，只要基板晶格系数与磊晶层材料匹配程度愈高，则磊晶层所产生的缺陷​​则愈少。晶格常数匹配度较高的碳化矽基板，更适合GaN磊晶制作，而碳化矽基板除在晶格匹配度上较蓝宝石基板为佳以外，因为碳化矽本身为半导体材料，适合利用半导体制程技术进行加工，因此利用半导体制程方式，在碳化矽基板进行几何形状处理，以降低光线在晶粒中的内全反射现象，使晶粒的取出效率可大幅提升。