半導體製程中所使用之超純水, 其阻抗值大多已超過了14MegaOhm-

半導體製程中所使用之超純水, 其阻抗值大多已超過了14MegaOhm-cm的水準, 如此高純度的水中因幾乎已無離子之存在, 故超純水乃屬於非導體, 而靜電的產生正是發生在非導體與非導體之間的電子轉移, 在半導體製程中與超純水接觸的機會不少, 其中在晶圓切割及清洗部份算是接觸時間較長的部份, 所以必須降低超純水的阻抗值, 使超純水成為導電體, 則靜電自然不會蓄積, 也就不會產生靜電損害產品的情形!" O8 u/ ~2 y- ^( q+ h- |3 n
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如何降低超純水的阻抗值, 最簡單的就是加入離子, 但一般的金屬離子會造成超純水的二次污染, 所以早期為解決此問題而加入錳離子(Mn2+)的方式也早已被淘汰! 目前半導體業界所使用的方式乃是採用二氧化碳溶於超純水中, 由於二氧化碳在水中會解離為H++HCO3-, 自然也就有導電離子的產生, 阻抗值跟著降低, 靜電自然消除, 同時二氧化碳並不會還原成金屬粒子而造成其他問題, 故已成為半導體製程中防治靜電不可或缺的一環!

結果 (中文) 1:

半导体制程中所使用之超纯水, 其阻抗值大多已超过了14MegaOhm-cm的水平, 如此高纯度的水中因几乎已无离子之存在, 故超纯水乃属于非导体, 而静电的产生正是发生在非导体与非导体之间的电子转移, 在半导体制程中与超纯水接触的机会不少, 其中在晶圆切割及清洗部份算是接触时间较长的部份, 所以必须降低超纯水的阻抗值, 使超纯水成为导电体, 则静电自然不会蓄积, 也就不会产生静电损害产品的情形!" O8 u/ ~2 y-
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如何降低超纯水的阻抗值, 最简单的就是加入离子, 但一般的金属离子会造成超纯水的二次污染, 所以早期为解决此问题而加入锰离子(Mn2 )的方式也早已被淘汰! 目前半导体业界所使用的方式乃是采用二氧化碳溶于超纯水中, 由于二氧化碳在水中会解离为H HCO3-, 自然也就有导电离子的产生, 阻抗值跟着降低, 静电自然消除, 同时二氧化碳并不会还原成金属粒子而造成其他问题, 故已成为半导体制程中防治静电不可或缺的一环!

結果 (中文) 2:

半导体制程中所使用之超纯水,其阻抗值大多已超过了14MegaOhm-cm的水准,如此高纯度的水中因几乎已无离子之存在,故超纯水乃属于非导体,而静电的产生正是发生在非导体与非导体之间的电子转移,在半导体制程中与超纯水接触的机会不少,其中在晶圆切割及清洗部份算是接触时间较长的部份,所以必须降低超纯水的阻抗值,使超纯水成为导电体,则静电自然不会蓄积,也就不会产生静电损害产品的情形!" O8 u/ ~2 y- ^( q+ h- |3 n
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如何降低超纯水的阻抗值,最简单的就是加入离子,但一般的金属离子会造成超纯水的二次污染,所以早期为解决此问题而加入锰离子( Mn2+)的方式也早已被淘汰!目前半导体业界所使用的方式乃是采用二氧化碳溶于超纯水中,由于二氧化碳在水中会解离为H++HCO3-,自然也就有导电离子的产生,阻抗值跟着降低,静电自然消除,同时二氧化碳并不会还原成金属粒子而造成其他问题,故已成为半导体制程中防治静电不可或缺的一环!

結果 (中文) 3:

在半导体过程用途超纯水中，它的抵抗价值主要超过了14MegaOhm cm标准，在，因此由于几乎的高纯度水中没有离子的存在，因此超纯水是非导体，但是静电的生产在非导体电子运输发生了与非导体的，在半导体机会处理因此，并且超纯水接触许多，在薄酥饼切口并且清洗部分地是联络期间长的零件，必须减少超纯水抵抗价值，做超纯水指挥，静电自然不能存放，不会有静电害处产品的情况! \” O8 u/~2 y-
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怎么减少超纯水抵抗价值，最简单加入离子，但是共同的金属离子可能导致超纯水的次要污染，因此及早解决这个问题加入锰离子(Mn2)也已经消灭方式!半导体产业当前使用的方式是用途二氧化碳溶化在超纯水中，因为二氧化碳在水中将离解是H HCO3-，自然地也有电传导离子的生产，抵抗价值减少，静电自然地消灭，二氧化碳不会同时退回到原始的状态引起其他问题的metallics，所以在半导体过程中成为了防止并且控制静电不可缺少一点!