化學機械拋光要埋設積體電路時晶圓表面需沈積多至十層的導電層(如Cu、A

化學機械拋光
要埋設積體電路時晶圓表面需沈積多至十層的導電層(如Cu、Al、W)、絕緣層(如Black Diamond)和抗磨層(如TaN)。每次沈積之後必須將表面拋光使其平滑，這個技術稱為化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization，CMP)。CMP為精密的拋光製程。在拋光時晶圓乃壓在一片旋轉的拋光墊(Pad)上。拋光墊通常為Polyurethane 所製而且也常含有氣孔(例如Rhom Haas的IC1010即含1/3約30μm的氣孔)。拋光墊只是供擦拭晶圓的「抹布」。晶圓表面突出處乃以塗佈在拋光墊表面的磨漿(Slurry)拋光。磨漿內含有與IC線寬相近(如90 nm)的懸浮磨粒(如10 wt%)。磨漿的液體通常也含氧化劑(如H2O2)或腐蝕劑(如酸液)。液體會和晶圓表面反應生成鬆散的氧化物，這就是CMP的化學反應。磨粒(如SiO2、Al2O3、CeO2)以拋光墊表面纖細的絨毛支撐就可擦拭晶圓的表面，這就是CMP的機械磨除。

結果 (中文) 3:

当CMP
必须安装地下微型电路时薄酥饼表面必须放置许多到十举办的层数(即古芝、Al和W)、对磨蚀水平(即Tan)的绝缘层(即黑金刚石)和抵抗。在放置以后每次，必须做它光滑的表面擦亮剂，这技术叫光滑化学的机械(化工机械Planarization， CMP)。CMP是精确擦亮的过程。薄酥饼，当擦亮是在片断的新闻旋转的抛光模(垫)。抛光模通常是聚氨酯做，而且经常包括通风孔(即Rhom Haas IC1010包括三分之一做30μm通风孔)。抹薄酥饼\ “清洁旧布的抛光模\”。薄酥饼表面踢马刺是通过涂上在研的浆糊(泥浆)擦亮抛光模表面。在研的浆糊严密地包括有集成电路行宽(即90毫微米)湿剂研磨剂(即10 wt %)。研的浆糊液体通常也包含氧化剂(即H2O2)或腐蚀剂(即酸酒)。液体宽松能与薄酥饼表面反应生产氧化物，这是CMP的化学反应。研磨剂(即SiO2、Al2O3和CeO2)表面苗条下来支持的抛光模也许清洗表面薄酥饼，这是机械研消灭的CMP。